Много потребители трябва да са чували за продукта на мишена за разпръскване, но принципът на мишена за разпръскване трябва да е сравнително непознат.Сега, редакторът наБогат специален материал (RSM) споделя принципите на магнетронно разпръскване на цел за разпръскване.
Ортогонално магнитно поле и електрическо поле се добавят между разпръснатия целеви електрод (катод) и анода, необходимият инертен газ (обикновено Ar газ) се напълва във високовакуумната камера, постоянният магнит образува 250 ~ 350 Gauss магнитно поле върху повърхността на целевите данни и ортогоналното електромагнитно поле се формира с електрическото поле с високо напрежение.
Под въздействието на електрическо поле газът Ar се йонизира в положителни йони и електрони.Към целта се добавя известно отрицателно високо напрежение.Ефектът на магнитното поле върху електроните, излъчени от целевия полюс, и вероятността за йонизация на работния газ се увеличават, образувайки плазма с висока плътност близо до катода.Под въздействието на силата на Лоренц, Ar йони се ускоряват до целевата повърхност и бомбардират целевата повърхност с много висока скорост. Разпръснатите атоми върху целта следват принципа на преобразуване на импулса и отлитат от целевата повърхност към субстрата с висока кинетична енергия за депозиране на филми.
Магнетронното разпръскване обикновено се разделя на два типа: трибутарно разпрашване и радиочестотно разпръскване.Принципът на трибутарното разпръскващо оборудване е прост и неговата скорост също е бърза при разпръскване на метал.RF разпръскването е широко използвано.В допълнение към разпръскването на проводими материали, той може да разпръсква и непроводими материали.В същото време той също така провежда реактивно разпрашване за получаване на материали от оксиди, нитриди, карбиди и други съединения.Ако RF честотата се увеличи, това ще се превърне в микровълново плазмено разпръскване.Сега обикновено се използва микровълново плазмено разпръскване с електронен циклотронен резонанс (ECR).
Време на публикуване: 31 май 2022 г